| 发明名称 | 金属纳米线薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于高纵横比金属的导电性纳米线膜。所述纳米线膜通过在包含金属前体离子、表面活性剂和还原剂的浓缩的表面活性剂溶液中引发金属还原反应而制造。所述金属纳米结构体在种类繁多的应用中表现出有用性。 | ||
| 申请公布号 | CN102203318B | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN200980143312.5 | 申请日期 | 2009.09.01 |
| 申请人 | 特拉维夫大学拉玛特有限公司 | 发明人 | 吉尔·马尔科维奇;丹尼尔·阿祖拉;奥尔加·克里切维斯基 |
| 分类号 | C23C18/14(2006.01)I;C23C18/16(2006.01)I;C23C18/34(2006.01)I;C23C18/40(2006.01)I;C23C18/44(2006.01)I;C23C18/48(2006.01)I;H05K3/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C18/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种用于在基板的表面上制备导电性纳米线膜的方法，其中所述纳米线的截面直径小于10nm，所述方法包括：(a)获得包含至少一种金属前体、至少一种表面活性剂和至少一种金属还原剂的水性前体溶液，其中所述至少一种表面活性剂在所述溶液中的浓度为至少5％重量/重量；(b)在基板的至少部分表面上形成所述前体溶液的薄膜；和(c)在所述薄膜中形成所述纳米线；由此在所述表面的至少一部分上获得导电性纳米线膜。 | ||
| 地址 | 以色列特拉维夫 | ||