| 发明名称 |
半导体结构与其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI484567 |
申请公布日期 |
2015.05.11 |
| 申请号 |
TW101128551 |
申请日期 |
2012.08.08 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
刘惠如;周建志;郑光茗;萧国裕 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L27/092;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体结构，包含：一高压闸极介电层配置于一基底之一高压区域；一低压闸极介电层配置于该基底之一低压区域，其中该低压闸极介电层的厚度小于该高压闸极介电层的厚度；以及一虚置结构配置于该高压闸极介电层的上表面之上，并覆盖该高压闸极介电层的一侧壁。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
