发明名称 Struktur mit Mehrlinien-Breite, die mittels Photolithographie erzeugt wird
摘要 Die Erfindung betrifft eine Verfahren, das Folgendes umfasst: Ausbilden einer Polymerschicht auf einem Substrat; Strukturieren der Polymerschicht so, dass ein erstes Merkmal und ein zweites Merkmal ausgebildet werden, wobei das erste Merkmal und das zweite Merkmal durch eine erste Strecke getrennt sind; Anwenden eines Spülmaterials auf die Polymerschicht, die das erste Merkmal und das zweite Merkmal aufweist; Entfernen des Spülmaterials von der Polymerschicht, die das erste Merkmal und das zweite Merkmal aufweist, um zu erreichen, dass das erste Merkmal und das zweite Merkmal zu einander in Kontakt treten; und Ausbilden eines dritten Merkmals, gestützt darauf, dass das erste Merkmal und das zweite Merkmal in Kontakt zu einander stehen. Die Erfindung betrifft auch ein entsprechendes Bauteil.
申请公布号 DE102013113175(A1) 申请公布日期 2015.05.07
申请号 DE201310113175 申请日期 2013.11.28
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 TAI, CHUN-LIANG;YEN, BI-MING;LEE, CHUN-HUNG;CHEN, DE-FANG
分类号 H01L21/3105;B81C1/00;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/308;H01L21/467;H01L21/70 主分类号 H01L21/3105
代理机构 代理人
主权项
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