制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极电极；在栅极电极的侧壁上形成间隔物；以及将掺杂掺入在间隔物的两侧的半导体衬底以形成高掺杂杂质区。间隔物被选择性蚀刻以暴露半导体衬底的一部分，更轻掺杂的杂质区形成在高掺杂杂质区与栅极电极之间的半导体衬底中。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的周边区域中在半导体衬底上形成栅极电极，所述半导体衬底被分成单元区域和周边区域，所述栅极电极具有相对的侧壁；在所述栅极电极的所述侧壁上以及在所述半导体衬底的上表面上形成偏移间隔物层；在所述偏移间隔物层的侧壁上形成间隔物；将杂质在所述间隔物的相对侧掺入所述周边区域中的所述半导体衬底中，以在所述半导体衬底中形成具有第一掺杂杂质浓度的高掺杂杂质区；从所述栅极电极的所述侧壁去除所述间隔物；各向异性蚀刻所述偏移间隔物层以形成偏移间隔物；以及在所述栅极电极的相对侧的所述衬底中形成轻掺杂杂质区，其中所述轻掺杂杂质区在所述高掺杂杂质区与所述栅极电极之间，所述轻掺杂杂质区具有比第一掺杂杂质浓度低的第二掺杂杂质浓度，其中在所述周边区域中形成所述栅极电极期间，导电层图案形成为所述单元区域中的位线，其中形成所述间隔物包括：在所述偏移间隔物层上形成间隔物层；以及各向异性蚀刻所述间隔物层以在所述栅极电极的侧壁上形成第一间隔物以及在所述导电层图案的侧壁上形成第二间隔物，其中在所述单元区域中的所述导电层图案的侧壁上的所述第二间隔物在从所述栅极电极的侧壁去除所述第一间隔物期间被去除。