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一种用于制造浅沟槽隔离(STI)结构凹槽的方法，包含：提供一基板，该基板具有形成在该基板上与一或多个将被蚀刻的浅沟槽隔离结构凹槽相符的一图案化遮罩层；使用由一制程气体所形成之一电浆透过该图案化遮罩层来蚀刻该基板，而在该基板上形成该一或多个浅沟槽隔离结构凹槽，其中该一或多个浅沟槽隔离结构凹槽包括复数个聚集成一具有一第一密度之第一区域的第一浅沟槽隔离结构凹槽与复数个聚集成一具有一第二密度之第二区域的第二浅沟槽隔离结构凹槽，其中该第二密度大于该第一密度，且其中当透过该图案化遮罩层蚀刻该基板时，持续地提供用来形成该电浆的该制程气体与一源功率；以及藉由脉冲一提供至一基板支撑件之一偏压功率而在蚀刻该基板之过程的至少一部分脉冲该电浆，以控制该一个或多个浅沟槽隔离结构凹槽的宽度，其中藉由脉冲该偏压功率来控制在该第一区域的该第一浅沟槽隔离结构凹槽的蚀刻深度与在该第二区域的该第二浅沟槽隔离结构凹槽的蚀刻深度的一比例。
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