一种IO Pad的ESD静电防护结构

摘要

本发明提供一种IO Pad的ESD静电防护结构，包括衬底、两个P型晶体管、四个N型晶体管、隔离电阻、两个PAD通道以及N型阱区。本发明采用非ESD Device器件构成防护器件；采用手指状结构并联MOS管单元构成MOS管并联组，多MOS管并联组并行布局，构成大尺寸静电防护MOS器件；版图布局采用双Pad通道，与ESD防护N型MOS器件区域、P型MOS器件相间隔分布。本发明的IO Pad的ESD静电防护结构，与工艺厂商提供IO Pad的静电防护结构相比，能减少工艺流程，兼容其他工艺设计，达到等同静电防护性能同时，静电防护器件面积更小，成本更低，且便于为提升防静电能力对静电防护器件进行改进。

主权项

一种IO Pad的ESD静电防护结构，其特征在于，包括衬底(10)、阱区(11)、两个P型晶体管(1，2)、第一N型晶体管(3)、第二N型晶体管(4)、第三N型晶体管(5)、第四N型晶体管(7)、隔离电阻(6)、第一PAD通道(8)以及第二PAD通道(9)，其中，所述第一PAD通道(8)与第二PAD通道(9)彼此间隔、且彼此平行地布置在所述衬底(10)上；所述阱区(11)布置在所述第一PAD通道(8)和第二PAD通道(9)限定的区域之外；并且两个P型晶体管(1，2)沿着所述第一PAD通道(8)延伸的方向并列地布置在所述阱区(11)上；所述第一N型晶体管(3)和第四N型晶体管(7)沿着两个PAD通道延伸的方向并列地布置在两个PAD通道限定的区域内，并靠近于所述第一PAD通道(8)；所述第二N型晶体管(4)、第三N型晶体管(5)、以及隔离电阻(6)沿着两个PAD通道延伸的方向并列地布置在两个PAD通道限定的区域内，并靠近于所述第二PAD通道(9)，并且所述第一N型晶体管(3)与第二N型晶体管(4)和第三N型晶体管(5)之间通过所述第一N型晶体管(3)的栅端金属信号线间隔。