| 发明名称 | 晶片的加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供晶片的加工方法，可以将层叠在基板的正面的功能层沿着分割预定线高效率地去除、并可以平滑地形成去除功能层而露出的基板的上表面。将使用层叠在基板的正面的功能层而形成有器件的晶片沿着划分器件的多个分割预定线分割，包括：功能层去除工序，将宽度与分割预定线的宽度对应的CO<sub>2</sub>激光光线的光点定位在分割预定线的上表面并沿着分割预定线照射，去除层叠在分割预定线上的功能层；槽成型兼碎屑去除工序，沿着通过实施该功能层去除工序而去除了功能层的槽照射具有紫外线区域的波长的激光光线，去除附着在槽上的碎屑并使槽的侧壁成型；以及分割工序，将实施了该槽成型兼碎屑去除工序后的晶片沿着去除了功能层的槽切断，分割成一个个器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104576530A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410542065.9 | 申请日期 | 2014.10.14 |
| 申请人 | 株式会社迪思科 | 发明人 | 相川力;高桥邦充;北原信康;藤原诚司;淀良彰;九鬼润一 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;金玲 |
| 主权项 | 一种晶片的加工方法，将形成有器件的晶片沿着划分器件的多个分割预定线进行分割，其中，该器件是由层叠在基板的正面的功能层形成的，该晶片的加工方法的特征在于，该晶片的加工方法包括：功能层去除工序，将宽度与分割预定线的宽度对应的CO<sub>2</sub>激光光线的光点定位在分割预定线的上表面并沿着分割预定线进行照射，去除层叠在分割预定线上的功能层；槽成型兼碎屑去除工序，沿着通过实施该功能层去除工序而去除了功能层的槽照射具有紫外线区域的波长的激光光线，去除附着在槽上的碎屑并使槽的侧壁成型；以及分割工序，将实施了该槽成型兼碎屑去除工序后的晶片沿着去除了功能层后的槽进行切断，分割成一个个器件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||