| 发明名称 | 一种缓启动电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种缓启动电路，包括：第一电源；第二电源；接入第一电源的电容；与所述电容串联的开关晶体管，其栅极接入第二电源的第一输入端；第一控制模块，用于在所述开关晶体管的源漏电压V<sub>DS</sub>大于预设阈值时，控制所述开关晶体管工作在线性区。本发明的缓启动电路在开关晶体管VT1的V<sub>DS</sub>大于预设阈值时，通过第一控制模块控制开关晶体管VT1工作在线性区，使开关晶体管VT1等效成为一个阻抗以抑制冲击电流。由于本发明是根据V<sub>DS</sub>对开关晶体管VT1进行控制，因此对开关晶体管VT1与电容C1的匹配度要求更低，适用性更强；此外，本发明的缓启动电路还具有结构简单、成本低、工作寿命长的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN104578742A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310504587.5 | 申请日期 | 2013.10.23 |
| 申请人 | 中兴通讯股份有限公司 | 发明人 | 刘争林;潘超;唐光明;李祥峰 |
| 分类号 | H02M1/36(2007.01)I;H02H9/02(2006.01)I | 主分类号 | H02M1/36(2007.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;安利霞 |
| 主权项 | 一种缓启动电路，其特征在于，包括：第一电源；第二电源；接入第一电源的电容；与所述电容串联的开关晶体管，其栅极接入第二电源的第一输入端；第一控制模块，用于在所述开关晶体管的源漏电压V<sub>DS</sub>大于预设阈值时，控制所述开关晶体管工作在线性区。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 | ||