一种制作嵌入分离栅极式闪存栅极的方法

摘要

本发明公开了一种制作嵌入分离栅极式闪存栅极的方法，根据本发明的方法在图案化逻辑电路区域中的多晶硅层之前在晶片上沉积形成硬掩膜层，以解决后续的位线和逻辑电路区域中的多晶硅层刻蚀步骤中对逻辑电路区域中的多晶硅层的损伤问题，以提高嵌入分离栅极式闪存的整体的性能和嵌入分离栅极式闪存的良品率。

主权项

一种制作嵌入分离栅极式闪存栅极的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有闪存单元区域和逻辑电路区域，在所述半导体衬底上沉积栅极材料层，其中位于所述逻辑电路区域中的栅极材料层用于形成逻辑电路栅极，位于所述闪存单元区域中的栅极材料层用于形成位线；在所述栅极材料层上形成硬掩膜层；去除所述闪存单元区域中的所述硬掩膜层；图案化所述闪存单元区域中的所述栅极材料层、以及所述逻辑电路区域中的所述硬掩膜层和所述栅极材料层，以在所述逻辑电路区域中形成逻辑电路栅极，在所述闪存单元区域中形成位线。