一种设有增频缺孔和隔离部的双极性振子

摘要

本发明公开了一种设有增频缺孔和隔离部的双极性振子；包括有通过馈电线连接的上下对称的两个辐射单元以及通过馈电线连接的左右对称的两个辐射单元；所述每个辐射单元包括有左右对称设置的两个振子片，所述每个振子片包括有第一侧壁、从第一侧壁的顶端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、从第一侧壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，还包括有与第二斜壁的自由端连接并与第一侧壁平行设置的第二侧壁；所述第二侧壁的顶端向第一侧壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述两个振子片的第二侧壁之间连接有耦合桥；所述两个辐射单元之间连接有馈电臂；通过优良的结构设计，实现了优良的前后比特性，频带内前后比平均大于32dB；频带内平均增益大于9.8dBi。

主权项

一种设有增频缺孔和隔离部的双极性振子，其特征在于：包括有通过馈电线连接的上下对称的两个辐射单元以及通过馈电线连接的左右对称的两个辐射单元；所述每个辐射单元包括有左右对称设置的两个振子片，所述每个振子片包括有第一侧壁、从第一侧壁的顶端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、从第一侧壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，还包括有与第二斜壁的自由端连接并与第一侧壁平行设置的第二侧壁；所述第二侧壁的顶端向第一侧壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述两个振子片的第二侧壁之间连接有耦合桥；所述两个辐射单元之间连接有馈电臂；所述第二侧壁靠近另一振子片的一侧并列设有至少一个的半圆形的增频缺孔；所述增频缺孔数量为5‑8个；所述增频缺孔的直径为0.5mm‑1mm；所述第二斜壁的底部设有第二隔离部；所述第二隔离部为二氧化硅半导体。