发明名称 |
成像装置及用以驱动成像装置的方法 |
摘要 |
提供一种能够以少量的X光照射来获得图像数据的成像装置。成像装置使用X光来获得图像且包括闪烁器及多个像素电路,这些像素电路排列成矩阵并与闪烁器重叠。在像素电路中使用具有极小截止态电流的晶体管使来自电荷累积部的电荷的泄漏能尽可能地降低,且累积操作在所有像素电路中能基本上同时地进行。累积操作与X光照射同步,使得X光照射量能降低。 |
申请公布号 |
CN104584534A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201380043503.0 |
申请日期 |
2013.08.21 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
黑川义元;池田隆之 |
分类号 |
H04N5/32(2006.01)I;A61B6/00(2006.01)I;G01T1/20(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H04N5/374(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
一种成像装置,包括:闪烁器;及多个像素电路,排列成具有多个列和多个行的矩阵并与所述闪烁器重叠,所述多个像素电路各包括:光电二极管;电荷累积部;第一晶体管;第二晶体管;及第三晶体管,其中所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接于所述光电二极管,其中所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接于所述电荷累积部,其中所述第二晶体管的栅极电连接于所述电荷累积部,其中所述第二晶体管的源极和漏极之一电连接于所述第三晶体管的源极和漏极之一,其中至少所述第一晶体管包括沟道形成区,所述沟道形成区包括氧化物半导体,其中重置所述电荷累积部的操作是在所述多个像素电路中基本上同时地进行的,其中由所述光电二极管累积电荷的操作是在所述多个像素电路中基本上同时地进行的,其中读取信号的操作对所述多个像素电路中的每个行顺序地进行,及其中在一个行中的所述像素电路的所述第三晶体管的栅极电连接于一布线。 |
地址 |
日本神奈川县 |