| 摘要 |
1. Способ получения интегральных схем, оптических устройств, микромашин и механических высокоточных устройств, где указанный способ включает стадии(1) получения подложки, имеющей слои структурированного материала, имеющие строчный интервал 50 нм и менее и характеристическое отношение >2;(2) получения поверхности слоев структурированного материала с положительным или отрицательным электрическим зарядом посредством контакта полупроводниковой подложки по меньшей мере один раз с водным не содержащим фтора раствором S, содержащим по меньшей мере одно не содержащее фтор катионное поверхностно-активное вещество A, имеющее по меньшей мере одну катионную или потенциально катионную группу, по меньшей мере одно не содержащее фтора анионное поверхностно-активное вещество A, имеющее по меньшей мере одну анионную или потенциально анионную группу, или по меньшей мере одно не содержащее фтора амфотерное поверхностно-активное вещество A; и(3) выведение водного не содержащего фтор раствора S из контакта с подложкой.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложкой является полупроводниковая подложка.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слои структурированного материала имеют строчный интервал 32 нм и менее и характеристическое отношение >10 для не фоторезистных структур и характеристическое отношение >2 для фоторезистных структур.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что водный раствор S применяется в качестве иммерсионной жидкости S для погружения фоторезиста во время облучения актиничным светом через маску, раствора проявителя S для фоторезистных слоев, облученных актиничным излучением через маску и иммерсионную жидкость, и/ил |
