多晶硅基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅基板及其制造方法。该方法包括：提供一基板；在基板上依次形成非晶硅层、绝缘层以及金属催化剂层；对基板进行一次退火，以使金属催化剂层中的金属离子经绝缘层向下扩展至非晶硅层，进而诱导非晶硅层中的非晶硅进行一次结晶；移除绝缘层以及金属催化剂层；对基板进行二次退火，以使金属离子沿非晶硅层进行侧向扩散，进而诱导非晶硅层中的非晶硅进行二次结晶，并形成多晶硅层。通过上述方式，可以在形成多晶硅层时减少金属催化剂残留现象，降低薄膜晶体管中半导体层的漏电流，从而提高薄膜晶体管的性能。

主权项

一种多晶硅基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一基板；在所述基板上依次形成非晶硅层、绝缘层以及金属催化剂层；对所述基板进行一次退火，以使所述金属催化剂层中的金属离子经所述绝缘层向下扩展至所述非晶硅层，进而诱导所述非晶硅层中的非晶硅进行一次结晶；移除所述绝缘层以及所述金属催化剂层；对所述基板进行二次退火，以使所述金属离子沿所述非晶硅层进行侧向扩散，进而诱导所述非晶硅层中的非晶硅进行二次结晶，并形成多晶硅层。