半导体组件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体组件及其制造方法，半导体组件包含半导体基材、栅极结构位于部分的基材上、以及数个应变结构位于此部分基材的任一边上且由不同于半导体基材的半导体材料所构成。此部分的基材为T字型，而具有一水平区与一垂直区，此垂直区自水平区而以一方向远离基材的表面。

主权项

一种半导体组件的制造方法，其特征在于，包含：接收一半导体基材；形成一栅极结构于该半导体基材的一表面上，该栅极结构包含一间隙壁位于该栅极结构的一侧壁上；进行一干式蚀刻，以在该半导体基材中形成一凹陷，其中该凹陷为一U字型，且该U字型具有一侧与该间隙壁对齐；形成一虚设间隙壁于该间隙壁上与该凹陷的该侧上，其中该虚设间隙壁直接形成于且直接接触位于该栅极结构的该侧壁上的该间隙壁；进行另一干式蚀刻，以垂直延伸该凹陷，其中经延伸的该凹陷具有一侧对齐该虚设间隙壁；以选择性调整进行一湿式蚀刻，以修改该凹陷，借以使该栅极结构位于该半导体基材的一部分上，其中该半导体基材的该部分是一T字型，且该T字型具有一水平区与一垂直区，该垂直区自该水平区以一方向远离该半导体基材的该表面；于进行该湿式蚀刻后，移除该虚设间隙壁；以及以一半导体材料填充该凹陷，其中该半导体材料不同于该半导体基材。