| 发明名称 | 一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。使用本发明能够降低沉积温度、简化工艺。本发明首先将基底加热至250℃～350℃并保温，然后采用磁控溅射或多元共蒸发法制备CIGS光吸收层薄膜，同时对基底照射光子能量范围为1.2eV～6.2eV的光束，最终生成铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜。本发明实现了CIGS薄膜的一步低温沉积，简化工艺，适合工业化生产，特别适合用于卷绕制备柔性CIGS薄膜太阳电池。 | ||
| 申请公布号 | CN104538492A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410763697.8 | 申请日期 | 2014.12.11 |
| 申请人 | 兰州空间技术物理研究所 | 发明人 | 王金晓;冯煜东;王艺;王志民;赵慨;速小梅;王虎;杨淼 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0328(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人 | 付雷杰;杨志兵 |
| 主权项 | 一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜制备方法，其特征在于，将基底加热至250℃～350℃并保温，然后采用磁控溅射或多元共蒸发法制备CIGS光吸收层薄膜，同时对基底照射光子能量范围为1.2eV～6.2eV的光束，最终生成铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜。 | ||
| 地址 | 730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号 | ||