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经营范围
发明名称
具有奈米双晶铜之电性连接体、其制备方法、以及包含其之电性连接结构
摘要
申请公布号
TWI482231
申请公布日期
2015.04.21
申请号
TW101143398
申请日期
2012.11.21
申请人
国立交通大学
发明人
陈智;刘道奇;邱韦岚
分类号
H01L21/60;H01L23/488
主分类号
H01L21/60
代理机构
代理人
苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项
一种具有双晶铜之电性连接结构之制备方法,包括步骤:(A)提供一第一基板;(B)于该第一基板之部分表面形成一奈米双晶铜层;(C)将一焊料配置于该奈米双晶铜层之表面;以及(D)进行100℃至800℃回焊(reflow)使该焊料与该奈米双晶铜层接合形成一电性连接体,其中,该焊料至少部分转换为一介金属化合物(intermetallic compound,IMC)层,该介金属化合物层系包括有一Cu3Sn层。
地址
新竹市大学路1001号
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