发明名称 |
多晶粒堆叠结构;MULTI-DIE STACK STRUCTURE |
摘要 |
一种多晶粒堆叠结构,包括垂直堆叠的N个(N2)晶粒。每个晶粒包括N个晶粒输入垫,其中在N个输入垫中的特定输入垫是用于该晶粒本身的输入。在底晶粒上方的每个晶粒的特定输入垫透过至少一基底通孔电性连接至底晶粒之特定输入垫以外的不同输入垫,且当其不在与底晶粒相邻的晶粒中时,亦透过底晶粒上方的每个下方晶粒的不同输入垫作前述电性连接。底晶粒的特定输入垫电性连接至上方晶粒的至少一个输入垫,所述至少一个输入垫并非任何上方晶粒的特定输入垫,且未电性连接至任何上方晶粒的特定输入垫。 |
申请公布号 |
TW201515185 |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
申请号 |
TW102146464 |
申请日期 |
2013.12.16 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION |
发明人 |
梁杰 LIANG, ZER;铃木孝太郎 SUZUKI, KOTARO |
分类号 |
H01L25/04(2014.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/04(2014.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文叶璟宗 |
主权项 |
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地址 |
桃园市龟山区华亚科技园区复兴三路669号 TW |