| 摘要 |
<p>[과제] 소망한 막 특성을 가지는 금속 화합물층을 기판면 내에 균일하게 형성할 수 있는 성막 방법 및 성막 장치를 제공한다. [해결 수단] 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 방법은, 통상의 격벽(20)의 내부에 형성된 성막실(101)과 격벽(20)의 외부에 형성된 배기실(102)을 가지는 진공 챔버(10)의 내부를, 배기실(102)에 접속된 배기 라인(50)을 통해 배기하는 것을 포함한다. 배기실(102)에 반응성 가스를 포함하는 프로세스 가스가 도입되고, 성막실(101)이 배기실(102)보다 저압력으로 유지된 상태에서, 격벽(20)과 진공 챔버(10) 사이에 형성된 가스 유로(80)를 통해 프로세스 가스가 성막실(101)에 공급된다.</p> |
