多层半导体器件结构

摘要

本发明提供了一种半导体器件结构和一种半导体器件结构的制造方法。在衬底上方形成第一器件层，其中，在第一器件层中图案化对准结构。在第一器件层上方提供介电层。介电层被图案化以包括位于对准结构上方的开口。在介电层上方形成第二器件层。使用掩模层来图案化第二器件层，其中，掩模层包括相对于对准结构对准的结构。对准结构在图案化第二器件层期间通过开口是可见的。

主权项

一种制造半导体器件结构的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一器件层，在所述第一器件层中图案化对准结构；在所述第一器件层上方提供介电层；图案化所述介电层以包括位于所述对准结构上方的开口；在所述介电层上方形成第二器件层；以及使用掩模层来图案化所述第二器件层，所述掩模层包括相对于所述对准结构对准的结构，在图案化所述第二器件层期间，所述对准结构通过所述开口是可见的。