发明名称 |
半导体结构及其形成方法 |
摘要 |
一种半导体结构及其形成方法,其中,半导体结构的形成方法包括:提供具有互连区的衬底;在衬底表面形成第一阻挡薄膜、导电薄膜、第二阻挡薄膜和第一介质薄膜;刻蚀部分第一介质薄膜、第二阻挡薄膜、导电薄膜和第一阻挡薄膜直至暴露出衬底表面为止,以在衬底的互连区表面形成第一阻挡层、第一导电层、第二阻挡层和第一介质层;在第一导电层的侧壁表面形成第三阻挡层;在衬底表面、第三阻挡层表面和第一介质层的侧壁表面形成第二介质层,第二介质层的表面与第一介质层表面齐平;去除部分第一介质层,在第二介质层和第一介质层内形成第二开口,第二开口底部暴露出部分第一导电层表面。所形成的半导体结构性能改善。 |
申请公布号 |
CN104517894A |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201310460183.0 |
申请日期 |
2013.09.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
洪中山 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底具有互连区;在衬底表面形成第一阻挡薄膜、以及位于第一阻挡薄膜表面的导电薄膜;在所述导电薄膜表面形成第二阻挡薄膜、以及位于第二阻挡薄膜表面的第一介质薄膜;刻蚀部分所述第一介质薄膜、第二阻挡薄膜、导电薄膜和第一阻挡薄膜直至暴露出衬底表面为止,以在衬底的互连区表面形成第一阻挡层、位于第一阻挡层表面的第一导电层、位于第一导电层表面的第二阻挡层、以及位于第二阻挡层表面的第一介质层;在所述第一导电层的侧壁表面形成第三阻挡层;在所述衬底表面、第三阻挡层表面和第一介质层的侧壁表面形成第二介质层,所述第二介质层的表面与第一介质层表面齐平;去除部分第一介质层,在第二介质层和第一介质层内形成第二开口,所述第二开口底部暴露出部分第一导电层表面。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |