发明名称 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI480978 | 申请公布日期 | 2015.04.11 |
申请号 | TW100120627 | 申请日期 | 2011.06.14 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 岩津春生;白石雅敏;片冈宪一 |
分类号 | H01L21/768;H01L21/66;H01L23/535 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 代理人 | 林秋琴 台北市大安区敦化南路1段245号8楼;何爱文 台北市大安区敦化南路1段245号8楼 | |
主权项 | 一种半导体装置的制造方法,系制造一种于基板表面形成有复数电子电路之半导体装置;其系将形成有复数个贯穿孔之基板,使其形成有该复数电子电路的表面朝向下方地配置,其中该贯穿孔系贯穿厚度方向且连通于该电子电路之电路电极;并使用一种顶板,系于表面对应于该贯穿孔之位置处形成有复数个开口部,且形成有复数个从该开口部连通至内面之镀覆液的流通道,并且,内面系设置有复数个从对应于该流通道之位置处通过该流通道的内部而延伸至该开口部之电极;且具有以下步骤:配置步骤,系将该顶板配置为该基板的内面会与该顶板的表面呈对向;贯穿电极形成步骤,系于上述配置步骤后,将镀覆液从该流通道供应至该贯穿孔内,并以该电路电极为阴极且以该电极为阳极,来对该电路电极与该电极之间施加电压,以于该贯穿孔内形成有连接于该电路电极与该电极之贯穿电极;及电路测试步骤,系于上述贯穿电极形成步骤后,对该电路电极与该电极之间施加电压,以进行该电子电路的电性测试。 | ||
地址 | 日本 |