| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件，包括：应变的、绝缘体上半导体(SOI)衬底，其包括应变半导体层；浅沟槽隔离(STI)，约束在所述SOI衬底中的所述应变半导体层，其中所述STI延伸越过所述SOI衬底的氧化物层进入所述SOI衬底中；以及弛豫减少衬垫，在所述STI上以及在所述应变半导体层的相邻侧壁上。 | ||
| 申请公布号 | CN204257647U | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
| 申请号 | CN201420535461.4 | 申请日期 | 2014.09.17 |
| 申请人 | 意法半导体公司 | 发明人 | P·莫兰;柳青;N·劳贝特 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：应变的、绝缘体上半导体衬底，其包括应变半导体层；浅沟槽隔离，约束在所述绝缘体上半导体衬底中的所述应变半导体层，其中所述浅沟槽隔离延伸越过所述绝缘体上半导体衬底的氧化物层进入所述绝缘体上半导体衬底中；以及弛豫减少衬垫，在所述浅沟槽隔离上以及在所述应变半导体层的相邻侧壁上。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||