发明名称 |
多层喷烧蒸发壁式超临界水氧化反应装置 |
摘要 |
本实用新型涉及一种多层喷烧蒸发壁式超临界水氧化反应装置,主要由筒体、上端盖、下端盖、烧嘴及蒸发壁构成,筒体与上端盖、下端盖分别固定安装,在筒体内安装蒸发壁,下端盖制有反应物出口,其特征在于:所述烧嘴为多层烧嘴,该多层烧嘴由一个安装于端盖中心的中心烧嘴及至少一个位于第一烧嘴下部的下层烧嘴构成,中心烧嘴与下层烧嘴之间有环状狭隙,中心烧嘴制有燃料与氧气混合物入口,下层烧嘴制有与所述环状狭隙连通的污水与氧气混合物入口。本实用新型结构设计科学合理,有效克服预热器、反应器、管路堵塞及腐蚀,减少蒸发壁用纯净水量,并能使反应器体积减小,降低贵重合金用量的多层喷烧蒸发壁式超临界水氧化反应装置。 |
申请公布号 |
CN204251407U |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201420758958.2 |
申请日期 |
2014.12.05 |
申请人 |
内蒙古天一环境技术有限公司 |
发明人 |
王冰;高超;刘志立 |
分类号 |
C02F1/72(2006.01)I;C02F1/04(2006.01)I |
主分类号 |
C02F1/72(2006.01)I |
代理机构 |
天津盛理知识产权代理有限公司 12209 |
代理人 |
刘玲 |
主权项 |
一种多层喷烧蒸发壁式超临界水氧化反应装置,主要由筒体、上端盖、下端盖、烧嘴及蒸发壁构成,筒体与上端盖、下端盖分别固定安装,在筒体内安装蒸发壁,下端盖制有反应物出口,其特征在于:所述烧嘴为多层烧嘴,该多层烧嘴由一个安装于端盖中心的中心烧嘴及至少一个位于第一烧嘴下部的下层烧嘴构成,中心烧嘴与下层烧嘴之间有环状狭隙,中心烧嘴制有燃料与氧气混合物入口,下层烧嘴制有与所述环状狭隙连通的污水与氧气混合物入口。 |
地址 |
010011 内蒙古自治区呼和浩特市如意开发区众生大厦1207号 |