发明名称 一种非金属衬底插层式氮掺杂制备石墨烯的夹具以及方法
摘要 本发明涉及一种非金属衬底插层式氮掺杂制备石墨烯的方法,包括以下步骤:对层式支架和非金属衬底进行清洗和预处理;将非金属衬底放入层式支架上,将放置有非金属衬底的层式支架放入石英管中,向石英管内通入载气,将石英管内温度升至800-1200℃,保温30-80min,向石英管内通入碳源气体和氮源气体,生长时间为20-100min;生长完毕后,停止加热,关闭碳源气体和氮源气体,继续通载气,待石英管内温度降至室温,取出层式支架。本发明利用层式支架直接在非金属衬底上掺杂生长石墨烯,生长有石墨烯的非金属衬底可以直接用于透明电极等电子器件的应用,减少了石墨烯透明电极等电子器件制备过程中的工序,降低了制作成本。
申请公布号 CN104495816A 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201410768964.0 申请日期 2014.12.12
申请人 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆墨希科技有限公司 发明人 张永娜;李占成;高翾;黄德萍;朱鹏;姜浩;史浩飞
分类号 C01B31/04(2006.01)I 主分类号 C01B31/04(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种非金属衬底插层式氮掺杂制备石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,对层式支架和非金属衬底进行清洗和预处理;步骤二,将非金属衬底放入层式支架上,将放置有非金属衬底的层式支架放入石英管中,抽除石英管内空气;步骤三,向石英管内通入载气,将石英管内温度升至800‑1200℃,保温30‑80min;步骤四,向石英管内通入碳源气体和氮源气体进行石墨烯的掺杂生长,生长时间为20‑100min;步骤五,生长完毕后,停止加热,关闭碳源气体和氮源气体,继续通入载气,待石英管内温度降至室温,取出层式支架和非金属衬底,从层式支架上取下非金属衬底,即得生长有石墨烯的非金属衬底。
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