发明名称 一种SiC MOSFET半桥电路驱动器以及半桥电路驱动方法
摘要 本发明公开了一种SiC MOSFET半桥电路驱动器以及半桥电路驱动方法,包括:负压产生电路和消除串扰电路;所述负压产生电路和消除串扰电路串联连接,所述消除串扰电路包括MOSFET开关管以及与所述MOSFET开关管串联连接的RC并联电路二,所述RC并联电路二包括并联连接的电阻R2和电容C2。本发明有益效果:本发明驱动电路通过无源器件产生负压,减少了负压电源的使用,节约了成本;同时,有效的解决了半桥单元串扰对驱动信号造成的负压尖峰,降低了由于栅源极负压超过限定值造成SiC器件损坏的风险。
申请公布号 CN104506028A 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201510016603.5 申请日期 2015.01.13
申请人 山东大学 发明人 高峰;周琦
分类号 H02M1/32(2007.01)I 主分类号 H02M1/32(2007.01)I
代理机构 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人 张勇
主权项 一种SiC MOSFET半桥电路驱动器,其特征是,包括:负压产生电路和消除串扰电路;所述负压产生电路和消除串扰电路串联连接,所述消除串扰电路包括MOSFET开关管以及与所述MOSFET开关管串联连接的RC并联电路二,所述RC并联电路二包括并联连接的电阻R2和电容C2。
地址 250061 山东省济南市历下区经十路17923号