发明名称 |
一种SiC MOSFET半桥电路驱动器以及半桥电路驱动方法 |
摘要 |
本发明公开了一种SiC MOSFET半桥电路驱动器以及半桥电路驱动方法,包括:负压产生电路和消除串扰电路;所述负压产生电路和消除串扰电路串联连接,所述消除串扰电路包括MOSFET开关管以及与所述MOSFET开关管串联连接的RC并联电路二,所述RC并联电路二包括并联连接的电阻R2和电容C2。本发明有益效果:本发明驱动电路通过无源器件产生负压,减少了负压电源的使用,节约了成本;同时,有效的解决了半桥单元串扰对驱动信号造成的负压尖峰,降低了由于栅源极负压超过限定值造成SiC器件损坏的风险。 |
申请公布号 |
CN104506028A |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201510016603.5 |
申请日期 |
2015.01.13 |
申请人 |
山东大学 |
发明人 |
高峰;周琦 |
分类号 |
H02M1/32(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/32(2007.01)I |
代理机构 |
济南圣达知识产权代理有限公司 37221 |
代理人 |
张勇 |
主权项 |
一种SiC MOSFET半桥电路驱动器,其特征是,包括:负压产生电路和消除串扰电路;所述负压产生电路和消除串扰电路串联连接,所述消除串扰电路包括MOSFET开关管以及与所述MOSFET开关管串联连接的RC并联电路二,所述RC并联电路二包括并联连接的电阻R2和电容C2。 |
地址 |
250061 山东省济南市历下区经十路17923号 |