薄膜电晶体及其制作方法;THIN FILM TRANSISTOR AND FABRICATING METHOD THEREOF

摘要

一种薄膜电晶体及其制作方法。薄膜电晶体包括氧化物半导体层、闸绝缘层、闸极、氧吸收层、绝缘层以及多个导电电极。氧化物半导体层包括多个低氧区以及位于低氧区之间的通道区。闸绝缘层位于氧化物半导体层与闸极之间，并覆盖通道区而暴露低氧区。氧吸收层位于低氧区上，并具有多个第一开口。第一开口暴露具有第一面积的低氧区。绝缘层覆盖氧吸收层、氧化物半导体层及闸极，并具有多个第二开口。第二开口位于第一开口内以暴露具有第二面积的低氧区。第二面积小于第一面积。导电电极位于第二开口中以接触低氧区。