具有垂直通道电晶体的半导体装置及其制作方法;SEMICONDUCTOR APPARATUS HAVING VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

摘要

本发明提供一半导体装置及其制造方法。方法包括于一半导体基板依序地沉积一闸极电极材料以及一牺牲绝缘层；图案化闸极电极材料以及牺牲绝缘层以形成一个或多个孔洞来曝露出半导体基板的一表面；在孔洞的内侧壁形成一闸极绝缘层；形成一个或多个柱状图案以分别填入孔洞中，且在柱状图案的顶端凹入；在柱状图案形成一接触单元与一电极单元；移除一图案化牺牲绝缘层，并形成隙壁氮化材料于移除图案化牺牲绝缘层的半导体基板；以及移除在该些柱状图案之间之部份的隙壁氮化材料与部份的一图案化闸极电极材料。