发明名称 资料写入方法、记忆体控制器与记忆体储存装置
摘要
申请公布号 TWI479313 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW101124957 申请日期 2012.07.11
申请人 群联电子股份有限公司 发明人 黄意翔
分类号 G06F12/02 主分类号 G06F12/02
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种资料写入方法,用于一可复写式非挥发性记忆体模组,其中该可复写式非挥发性记忆体模组包括多个实体抹除单元,每一该些实体抹除单元包括多个实体程式化单元,该些实体抹除单元至少被划分出一资料区,该资料写入方法包括:配置多个逻辑位址以映射至该资料区的该些实体抹除单元;从该资料区以外的该些实体抹除单元中将至少一实体抹除单元划分为一第一缓冲区,并从该资料区以外的该些实体抹除单元中,将至少一实体抹除单元划分为一第二缓冲区,其中该第一缓冲区的实体抹除单元不同于该第二缓冲区的实体抹除单元;接收一第一写入指令,该第一写入指令指示将一第一资料写入至该些逻辑位址的一第一逻辑位址;判断该第一资料的资料量是否小于一预设值;若该第一资料的资料量小于该预设值,将该第一资料写入至该第一缓冲区的实体抹除单元或该第二缓冲区的实体抹除单元;以及当把该第一资料写入至该第二缓冲区的实体抹除单元时,取得该第一缓冲区的实体抹除单元中的至少一第一实体程式化单元所映射的至少一第二逻辑位址,并且整并属于所述至少一第二逻辑位址的有效资料,其中所述至少一第二逻辑位址的数目小于一整并门槛值。
地址 苗栗县竹南镇群义路1号