| 发明名称 |
半导体记忆装置 |
| 摘要 |
本发明提供一种半导体记忆装置，其不会增大储存比多值区域少的位元之区域之记忆容量而可进行高速写入，且可延长制品之寿命。本半导体记忆装置包含于1单元中储存n位元(n为2以上之自然数)资料之复数之记忆体单元。于复数之记忆体单元内，在第1区域MLB之记忆体MLC中，储存有h(h<=n)位元之资料，在第2区域SLB之记忆体SLC中，储存有i(i<h)位元之资料，当第2区域SLB之记忆体单元之覆写次数达到规定值之情形时，将i位元之资料储存于第1区域MLB之记忆体中而不写入至第2区域SLB之记忆体单元。 |
| 申请公布号 |
TW201513117 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
| 申请号 |
TW103140660 |
申请日期 |
2010.06.23 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
柴田昇 SHIBATA, NOBORU;金箱和范 KANEBAKO, KAZUNORI |
| 分类号 |
G11C16/04(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C11/56(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/04(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
