发明名称 一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的制备方法,包括1)水溶性的铕盐、水溶性的钇盐、硼酸、水和醇类溶剂混合,所述醇类溶剂和水混溶;2)向步骤1)得到的混合体系中加入螯合剂和交联剂;3)步骤2)得到的混合体系反应3~5h后静置24-48h;4)通过浸渍提拉的方式进行镀膜,硅底片以0.3~0.5cm/s镀膜速度浸入盛有溶液的烧杯中,静置5~10s,再以同样的速度提拉,即完成镀膜;5)硅底片镀膜后置于马弗炉中进行400~600℃煅烧10~15min、400-1000℃退火1~2h,得到YBO<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>薄膜。本发明的优点在于:溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备YBO<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>纳米材料,具有设备简单、低成本、反应温度低、化学成分易控制的优势。
申请公布号 CN104449716A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410679845.8 申请日期 2014.11.24
申请人 中国科学院青海盐湖研究所 发明人 年洪恩;周园;吴志坚;孙庆国;李翔;申月;海春喜;任秀峰;曾金波;董欧阳;云强;李松;张立娟
分类号 C09K11/78(2006.01)I 主分类号 C09K11/78(2006.01)I
代理机构 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人 王宇杨;杨青
主权项 一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的制备方法,包括1)水溶性的铕盐、水溶性的钇盐、硼酸、水和醇类溶剂混合,所述醇类溶剂和水混溶;2)向步骤1)得到的混合体系中加入螯合剂和交联剂;3)步骤2)得到的混合体系反应3~5h后静置24‑48h;4)通过浸渍提拉的方式进行镀膜,硅底片以0.3~0.5cm/s镀膜速度浸入盛有溶液的烧杯中,静置5~10s,再以同样的速度提拉完成镀膜;5)硅底片镀膜后置于400~600℃煅烧10~15min、400‑1000℃退火1~2h,得到YBO<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>薄膜。
地址 810008 青海省西宁市新宁路18号