浅沟道隔离结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种浅沟道隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底形成氧化层和氮化层，并刻蚀形成浅沟道隔离凹槽；对的浅沟道隔离凹槽两侧氮化层进行刻蚀；通过倾斜角度在所述浅沟道隔离凹槽的侧壁上方注入离子；在所述浅沟道隔离凹槽表面形成衬氧化层；并填充隔离材料，进行平坦化处理。通过离子注入，增加AA区顶角处的离子掺杂浓度，避免后续工艺中硼离子的损失，改善双峰颈结效应，最终提高器件的性能。

主权项

一种浅沟道隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在其上依次形成氧化层和氮化层；对所述氮化层、氧化层及半导体衬底进行刻蚀，形成浅沟道隔离凹槽；从所述浅沟道隔离凹槽两侧对氮化层进行刻蚀，露出部分氧化层；进行离子注入，将离子束以倾斜的角度注入所述浅沟道隔离凹槽的侧壁上方；在所述浅沟道隔离凹槽表面形成衬氧化层；在所述浅沟道隔离凹槽中填充隔离材料，并进行平坦化处理。