| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体装置的制造方法中，准备基板，从从液相中在基板的表面生长p型的SiC单晶层，该液相为，含有Si(硅)、C(碳)、p型杂质、以及n型杂质，在将p型杂质设为元素A、将n型杂质设为元素D的情况下，元素A和元素D的组合为从Al(铝)和N(氮)、Ga(镓)和N(氮)、以及In(铟)和N(氮)中选择的至少一个组合即第一组合、以及B(硼)和P(磷)的第二组合中的至少一方的组合，构成第一或第二组合的元素D的浓度相对于元素A的浓度的比大于0.33小于1.0。 | ||
| 申请公布号 | CN104465392A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410386613.3 | 申请日期 | 2014.08.07 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 西尾让司;清水达雄;太田千春;饭岛良介;四户孝 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 戚宏梅;杨谦 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其中，从液相中在基板的表面生长p型的SiC单晶层，该液相为，含有Si(硅)、C(碳)、p型杂质及n型杂质，在将所述p型杂质设为元素A、将所述n型杂质设为元素D的情况下，所述元素A和所述元素D的组合为第一组合和第二组合中的至少一方的组合，该第一组合为从Al(铝)和N(氮)、Ga(镓)和N(氮)、以及In(铟)和N(氮)中选择的至少一个组合，该第二组合为B(硼)和P(磷)的组合，并且，构成所述第一或第二组合的所述元素D的浓度相对于所述元素A的浓度的比大于0.33小于1.0。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||