发明名称 |
一种集成结型场效应晶体管的自举电路及自举方法 |
摘要 |
本发明提供一种集成结型场效应晶体管的自举电路及自举方法,所述自举电路包括:驱动电路、结型场效应晶体管、自举电容、高边晶体管、以及低边晶体管;所述驱动电路的第一输出端连接于所述高边晶体管的栅极、第二输出端连接于所述低边晶体管的栅极、第三输出端连接于所述高边晶体管的栅极的源极、低边晶体管的漏极、负载、以及自举电容的第一端;所述结型场效应晶体管集成于所述驱动电路,其栅极连接于所述驱动电路以输入逻辑信号,源极连接于驱动电源,漏极连接于所述自举电容的第二端。本发明将结型场效应晶体管集成于驱动电路,可以有效减少整个系统的元件数目,降低电路的复杂程度,提高器件的集成度。 |
申请公布号 |
CN104426359A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310405068.3 |
申请日期 |
2013.09.06 |
申请人 |
上海宝芯源功率半导体有限公司 |
发明人 |
王凡 |
分类号 |
H02M3/07(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/07(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种集成结型场效应晶体管的自举电路,其特征在于,至少包括:驱动电路、结型场效应晶体管、自举电容、高边晶体管、以及低边晶体管;所述驱动电路的第一输出端连接于所述高边晶体管的栅极、第二输出端连接于所述低边晶体管的栅极、第三输出端连接于所述高边晶体管的栅极的源极、低边晶体管的漏极、负载、以及自举电容的第一端;所述高边晶体管的漏极接高电平,所述低边晶体管的源极接低电平;所述结型场效应晶体管集成于所述驱动电路,所述结型场效应晶体管的栅极连接于所述驱动电路以输入逻辑信号,所述结型场效应晶体管的源极连接于驱动电源,漏极连接于所述自举电容的第二端。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区盛夏路560号219室 |