| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种形状的偏差少的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备对包含硅的部件进行干法刻蚀的工序。上述干法刻蚀在第一压力范围或第二压力范围中实施，该饱和压力为即使增加压力刻蚀速率也不继续增加的压力，该第二压力范围为，实现将压力设为上述饱和压力时的刻蚀速率的一半的刻蚀速率的压力以下的范围。 | ||
| 申请公布号 | CN104425236A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410022154.0 | 申请日期 | 2014.01.17 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 井口知之 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 房永峰 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，具备对包含硅的部件进行干法刻蚀的工序，上述干法刻蚀在第一压力范围或第二压力范围中实施，该第一压力范围为，将饱和压力乘以0.85后得到的压力以上的范围，该饱和压力为即使增加压力刻蚀速率也不继续增加的压力，该第二压力范围为，实现将压力设为上述饱和压力时的刻蚀速率的一半的刻蚀速率的压力以下的范围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||