| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有掩膜层，所述掩膜层暴露出部分衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀部分衬底，在所述衬底内形成开口，相邻开口之间的衬底形成鳍部；在形成鳍部之后，缩小所述掩膜层平行于衬底表面方向的尺寸，使所述掩膜层暴露出部分鳍部的顶部表面；在缩小所述掩膜层平行于衬底表面方向的尺寸之后，以所述掩膜层为掩膜，采用具有方向性的刻蚀工艺对所述鳍部进行刻蚀，使所述鳍部的侧壁相对于衬底表面倾斜，且所述鳍部的顶部尺寸小于底部尺寸。所形成的半导体结构尺寸精确易控，由所述半导体结构形成的鳍式场效应管性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN104425263A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310365611.1 | 申请日期 | 2013.08.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张翼英;何其暘 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有掩膜层，所述掩膜层暴露出部分衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀部分衬底，在所述衬底内形成开口，相邻开口之间的衬底形成鳍部；在形成鳍部之后，缩小所述掩膜层平行于衬底表面方向的尺寸，使所述掩膜层暴露出部分鳍部的顶部表面；在缩小所述掩膜层平行于衬底表面方向的尺寸之后，以所述掩膜层为掩膜，采用具有方向性的刻蚀工艺对所述鳍部进行刻蚀，使所述鳍部的侧壁相对于衬底表面倾斜，且所述鳍部的顶部尺寸小于底部尺寸。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||