发明名称 将掺质植入工件中的方法;METHOD OF IMPLANTING DOPANT INTO WORKPIECE
摘要 揭露一种用于改善离子植入机中离子束品质的方法。在一些离子植入系统中,来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取,而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时,这个问题会变严重,而当期望的馈入气体包括卤素时,这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响,以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中,所述稀释气体可以是锗烷或矽烷。
申请公布号 TW201511071 申请公布日期 2015.03.16
申请号 TW103124336 申请日期 2014.07.16
申请人 瓦里安半导体设备公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. 发明人 奎夫 约翰W GRAFF, JOHN W.;具 本雄 KOO, BON-WOONG;弗龙梯柔 约翰A FRONTIERO, JOHN A.;贝特曼 尼可拉斯P T BATEMAN, NICHOLAS P. T.;米勒 提摩西J MILLER, TIMOTHY J.;博斯尔 维克拉姆M BHOSLE, VIKRAM M.
分类号 H01J37/317(2006.01);H01L21/265(2006.01) 主分类号 H01J37/317(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 美国 US