| 摘要 |
<p>Die Erfindung ist auf ein Halbleiter-Bewertungsverfahren gerichtet, umfassend: das Messen von Wölbungsdaten von Oberflächen-Dislokation des Halbleiterwafers vor dem Spiegelpolierschritt mit einer kapazitiven Formmessvorrichtung; das Einstellen einer vorgeschriebenen Breite eines äußeren Umfangsteils des Halbleiterwafers als Probenbereich; das Durchführen einer Anpassung der Wölbungsdaten innerhalb des Probenbereichs mit einer Anpassfunktion in einem vorbestimmten Anpassbereich, um dadurch eine Auswirkung der Schwankung in den Wölbungsdaten am äußeren Umfangsteil des Halbleiterwafers zu eliminieren, wobei die Schwankung durch Verfahrensspannung verursacht wird; das Berechnen eines Unterschieds (Bereichs) zwischen einem Maximum und einem Minimum der Wölbungsdaten nach dem Anpassen innerhalb des Probenbereichs; und das Bewerten der Nanotopographie der Oberfläche des Halbleiterwafers nach dem Spiegelpolierschritt auf der Grundlage des berechneten Unterschieds (Bereichs). Die Erfindung stellt dadurch ein Halbleiterwafer-Bewertungsverfahren bereit, das ermöglicht, dass die Halbleiternanographie eines Halbleiterwafers nach einem Spiegelpolierschritt bei der Halbleiterwaferherstellung bewertet wird.</p> |
