发明名称 | 红外焦平面阵列芯片贮存失效率、可靠度的检测方法 | ||
摘要 | 一种红外焦平面阵列芯片贮存失效率、可靠度的检测方法,其贮存失效率方法包括:测量红外焦平面阵列芯片的样品的像元个数;将样品进行分组;测量贮存前每组样品的初始有效像元率,将每组样品在一组高温贮存应力下进行贮存,测量贮存后每组样品的最终有效像元率;根据样品的最终有效像元率和初始有效像元率的差值确定该组样品在对应高温贮存应力下的像元失效率;根据各像元失效率计算样品贮存退化的激活能值,并根据激活能值计算常温贮存应力下的加速系数;根据加速系数和像元个数计算样品的像元在常温条件、预设置信水平下的贮存失效率上限值,将贮存失效率上限值确定为红外焦平面阵列芯片的贮存失效率。本方案降低了检测成本。 | ||
申请公布号 | CN104406700A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
申请号 | CN201410693179.3 | 申请日期 | 2014.11.25 |
申请人 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 发明人 | 杨少华;王晓晗;赖灿雄;恩云飞;黄云;陈辉 |
分类号 | G01J5/10(2006.01)I | 主分类号 | G01J5/10(2006.01)I |
代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 王程 |
主权项 | 一种红外焦平面阵列芯片贮存失效率的检测方法,其特征在于,包括:测量红外焦平面阵列芯片的样品的像元个数;将所述样品进行分组;测量贮存前每组样品的初始有效像元率,将每组样品在一组高温贮存应力下进行贮存,测量贮存后每组样品的最终有效像元率;其中,各组样品对应的高温贮存应力不同;根据样品的所述最终有效像元率和所述初始有效像元率的差值确定该组样品在对应高温贮存应力下的像元失效率;根据各所述像元失效率计算样品贮存退化的激活能值,并根据所述激活能值计算常温贮存应力下的加速系数;根据所述加速系数和所述像元个数计算样品的像元在常温条件、预设置信水平下的贮存失效率上限值,将所述贮存失效率上限值确定为红外焦平面阵列芯片的贮存失效率。 | ||
地址 | 510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号 |