| 发明名称 | 一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED | ||
| 摘要 | 一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED，属于光电子技术领域，在衬底上依次生长有GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型限制层、周期性的有源层、P-AlInP限制层和GaP窗口层；在生长周期性的有源层时，以Al<sub>X</sub>Ga<sub>(1-X)</sub>InP/Al<sub>Y</sub>Ga<sub>(1-Y)</sub>InP为材料，掺以同种导电类型杂质，生长超晶格结构的有源层。制成的产品可较大地改善传统结构的内量子效率低的问题，提高有源区的空穴注入，提升电子空穴复合效率，从而较大地提高产品光效，其亮度较传统结构可提升40%～60%，因此，本实用新型能够大量生产发光波长560～580nm范围的高效率的黄绿光波段的LED。 | ||
| 申请公布号 | CN204189816U | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201420570717.5 | 申请日期 | 2014.09.30 |
| 申请人 | 扬州乾照光电有限公司 | 发明人 | 林鸿亮;张银桥;张双翔;杨凯;徐培强;李全素;王向武;李忠辉 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人 | 江平 |
| 主权项 | 一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED，包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型限制层、有源层、P型限制层以及GaP窗口层，其特征在于，有源层为AlGa InP掺杂超晶格结构层。 | ||
| 地址 | 225009 江苏省扬州市维扬路108号 | ||