半导体器件

摘要

一种半导体器件，电可编程熔丝的阳极接触位于绝缘层正上方，阴极接触并不位于绝缘层正上方，因此熔丝线路与硅衬底之间并无绝缘层的阻挡，熔丝线路更容易产生电迁移，这使电可编程熔丝具有更好的可编程能力，同时，绝缘层可以阻挡扩散至硅衬底的热量；另外，仅通过调整电可编程熔丝在版图中位置，即可获得本发明的结构，并未增加工艺步骤和掩模板数目，节省了生产成本。

主权项

一种半导体器件，包括：硅衬底，以及位于所述硅衬底中的绝缘层；多晶硅层，位于所述硅衬底之上；金属硅化物层，位于所述多晶硅层之上；电可编程熔丝的阴极接触和阳极接触，位于所述金属硅化物层之上，其特征在于：所述绝缘层的上表面与所述硅衬底的上表面相平；所述阳极接触位于所述绝缘层的正上方，而所述阴极接触的正下方不存在所述绝缘层，所述绝缘层为浅沟槽隔离。