发光二极管及发光二极管制造方法

摘要

一种发光二极管，包括蓝宝石基板，其表面形成有多个凸起。蓝宝石基板的具有凸起的表面上形成有未掺杂的GaN层。多个碳纳米管覆盖在未掺杂的GaN层的表面上，且相邻及交错的碳纳米管之间形成间隙以暴露出未掺杂的GaN层的部分表面。N型GaN层形成在未掺杂的GaN层的未被碳纳米管所覆盖的表面并侧向生长至覆盖所述碳纳米管。活性层以及P型GaN层依次形成在N型GaN层表面。所述碳纳米管可使到N型GaN层形成侧向生长，从而降低N型GaN层中的晶体缺陷。同时，由于碳纳米管的电阻率小于N型GaN层，其可使电流迅速扩散到N型GaN层的各个区域，从而提高了其的电流扩散性能。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。

主权项

一种发光二极管，包括：蓝宝石基板，包括第一表面及与第一表面相对设置的第二表面，蓝宝石基板的第一表面形成有多个凸起；未掺杂的GaN层，形成在蓝宝石基板的第一表面；多个碳纳米管，覆盖在未掺杂的GaN层的表面，相邻及交错的碳纳米管之间形成间隙以暴露出未掺杂的GaN层的部分表面；N型GaN层，形成在未掺杂的GaN层的未被碳纳米管所覆盖的表面并侧向生长至覆盖所述碳纳米管；活性层，形成在N型GaN层表面；以及P型GaN层，形成在活性层表面。