发明名称 一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的分层电极及其连接工艺
摘要 本发明涉及一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的多层电极及其连接工艺,所述电极分为三层结构,依次为:第一Ni-Al合金层、第二Ni-Al合金层以及单质Ag层。本发明所述多层电极与Mg-Si-Sn基热电元件具有良好的热匹配,能够减小界面热应力,提高服役寿命;具有很小的润湿角,可与导流片直接焊接;具有良好的电性质过渡,接触电阻小于Mg-Si-Sn基热电元件内阻的5%,连接Mg-Si-Sn基热电元件与多层电极的工艺简单而可靠。
申请公布号 CN104362249A 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201410647299.X 申请日期 2014.11.14
申请人 武汉理工大学 发明人 鄢永高;邱思源;唐新峰;苏贤礼
分类号 H01L35/20(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I 主分类号 H01L35/20(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 唐万荣;张秋燕
主权项 一种与Mg‑Si‑Sn基热电元件相匹配的多层电极,其特征在于所述电极分为三层结构,依次为:第一Ni‑Al合金层、第二Ni‑Al合金层以及单质Ag层。
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号