发明名称 |
一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的分层电极及其连接工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的多层电极及其连接工艺,所述电极分为三层结构,依次为:第一Ni-Al合金层、第二Ni-Al合金层以及单质Ag层。本发明所述多层电极与Mg-Si-Sn基热电元件具有良好的热匹配,能够减小界面热应力,提高服役寿命;具有很小的润湿角,可与导流片直接焊接;具有良好的电性质过渡,接触电阻小于Mg-Si-Sn基热电元件内阻的5%,连接Mg-Si-Sn基热电元件与多层电极的工艺简单而可靠。 |
申请公布号 |
CN104362249A |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201410647299.X |
申请日期 |
2014.11.14 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
鄢永高;邱思源;唐新峰;苏贤礼 |
分类号 |
H01L35/20(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/20(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
唐万荣;张秋燕 |
主权项 |
一种与Mg‑Si‑Sn基热电元件相匹配的多层电极,其特征在于所述电极分为三层结构,依次为:第一Ni‑Al合金层、第二Ni‑Al合金层以及单质Ag层。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |