发明名称 |
一种基于磁场辅助的多级单元磁存储器件及制造方法 |
摘要 |
一种基于磁场辅助的多级单元磁存储器件,它形成多个MTJ层叠,各个MTJ由参考层、势垒层和自由层组成;参考层的磁化方向固定或通过连接钉扎层固定,自由层的磁化方向通过注入自旋极化电流在两种状态之间转换;多个MTJ通过金属隔离层串联,感应线设置在上述结构附近,从而在各个MTJ处产生不同辅助磁场,以影响其磁化方向翻转所需要的转换电流;通过施加不同方向、大小的电流与磁场,分别将各个MTJ切换至所需电阻状态,进而利用器件不同的总电阻状态存储多位数据;一种基于磁场辅助的多级单元磁存储器件的制造方法,它有七大步骤。本发明在提高STT-MRAM存储密度的同时,也降低了制造过程中的工艺难度与生产成本。 |
申请公布号 |
CN104362165A |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201410529868.0 |
申请日期 |
2014.10.10 |
申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
王梦醒;张雨;郭玮;赵巍胜 |
分类号 |
H01L27/22(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 |
代理人 |
王顺荣;唐爱华 |
主权项 |
一种基于磁场辅助的多级单元磁存储器件,其特征在于:它是形成复数个磁隧道结MTJ层叠,各个MTJ由参考层、势垒层和自由层组成;其中,参考层的磁化方向固定或通过连接钉扎层固定,自由层的磁化方向通过注入自旋极化电流在两种状态之间转换;当参考层与自由层的磁化方向平行时,MTJ呈现低电阻状态,存储数据“0”;反平行时则呈现高电阻状态,存储数据“1”;复数个MTJ通过金属隔离层串联,感应线设置在上述MTJ结构周围,适当调整位置,从而在各个MTJ处产生不同辅助磁场,影响其磁化方向翻转所需要的转换电流;通过施加不同方向、大小的电流与磁场,分别将各个MTJ切换至所需电阻状态,进而利用器件不同的总电阻状态存储多位数据;在该磁存储器件中,自由层包括铁磁材料钴铁硼CoFeB、钴铁CoFe、钌Ru、钴Co、钴/铂Co/Pt或钴/钯Co/Pd,势垒层选自、但不限于金属氧化物材料氧化镁MgO、氧化铝Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,参考层包括铁磁材料钴铁硼CoFeB、钴铁CoFe、钌Ru、钴Co、钴/铂Co/Pt或钴/钯Co/Pd;其中,参考层的磁化方向需要通过反铁磁材料构成的钉扎层固定,包括铂锰PtMn、铱锰IrMn、Co/Pt或Co/Pd;磁存储器件上、下通过顶电极、底电极与外围电路相连,使用非磁性金属线材料钽Ta、钌Ru、铂Pt或铝Al;感应金属线位于磁存储器件上、下或一侧的绝缘层中,使用二氧化硅SiO<sub>2</sub>、氮化硅SiN或其他材料;一条感应金属线由两个或多个磁存储器件共用,作用模式方面,固定辅助磁场,通过调整写电流完成数据存储;也能将写电流固定,利用不同辅助磁场写入相应数据;各个MTJ基于垂直磁各向异性,也能基于面内磁各向异性,即最广泛的理解为包括两种磁各向异性的多种组合形式;所对应的MTJ截面形状选自、但不限于圆形、椭圆形及长方形,为纳米级。 |
地址 |
100191 北京市海淀区学院路37号 |