发明名称 储存装置及半导体装置;STORAGE DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 本发明的一个方式提供一种能够在抑制工作速度的降低的同时实现低耗电量化的储存装置。本发明的一个方式是一种储存装置,包括:第一电晶体;第二电晶体;逻辑元件;以及半导体元件,其中,第二电晶体控制对第一电晶体所具有的闸极供应第一信号,在被输入的第二信号从第一电位变为低于第一电位的第二电位时,逻辑元件将第一电晶体的源极和汲极中的一方的电位从第二电位变为低于第二电位的第三电位,然后将其从第三电位变为第一电位,半导体元件具有使第一电晶体的源极和汲极中的另一方成为浮动状态的功能,并且,第一电晶体在氧化物半导体膜中具有通道形成区。
申请公布号 TW201507169 申请公布日期 2015.02.16
申请号 TW103114023 申请日期 2014.04.17
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 池田隆之
分类号 H01L29/788(2006.01);H01L27/088(2006.01) 主分类号 H01L29/788(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本