| 摘要 |
1. Магниторезистивный преобразователь, содержащий выполненный на подложке магниточувствительный элемент в виде соединенных по мостовой схеме магниторезистивных полосок, расположенный между двух концентраторов, отличающийся тем, что в качестве подложки использован кремниевый кристалл с выполненными в нем, по меньшей мере, двумя заглублениями, в которых размещены планарные концентраторы, магниточувствительный элемент размещен на поверхности кристалла в области между заглублениями, над магниточувствительным элементом размещена планарная катушка первого типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля вдоль оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от магниточувствительного элемента первым слоем диэлектрика, над которой размещена планарная катушка второго типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля, перпендикулярного оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от первой планарной катушки вторым слоем диэлектрика.2. Магниторезистивный преобразователь по п. 1, отличающийся тем, что в каждом плече мостовой схемы соединено, по меньшей мере, две магниторезистивные полоски.3. Магниторезистивный преобразователь по п. 1, отличающийся тем, что магниторезистивные полоски выполнены в виде магниторезистивных полосок с анизотропным магниторезистивным эффектом.4. Магниторезистивный преобразователь по п. 1, отличающийся тем, что магниторезистивные полоски выполнены в виде магниторезистивных полосок с гигантским магниторезистивным эффектом.5. Магниторезистивный преобразователь по п. 1, отличающийся тем, что концентраторы выполне |
