内埋式半导体封装件的制作方法

摘要

本发明公开一种内埋式半导体封装件的制作方法。该半导体封装件包括具有电性接点的半导体元件、上方图案化导电层、介于上方图案化导电层与半导体元件之间的介电层、第一内层电性连接层、下方图案化导电层、导通孔以及第二内层电性连接层。介电层具有暴露出电性接点的第一开口以及从下方图案化导电层延伸至上方图案化导电层的第二开口。第一内层电性连接层从电性接点延伸至上方图案化导电层且填充于第一开口中。第二开口具有暴露出上方图案化导电层的上部分以及暴露出下方图案化导电层的下部分。导通孔位于第二开口的下部分。第二内层电性连接层填充于第二开口的上部分。

主权项

一种内埋式半导体封装件的制作方法，包括：提供半导体元件以及第一导电片，其中该第一导电片具有下表面；形成邻近该第一导电片的该下表面的导电块；配置邻近该第一导电片的该下表面且覆盖该导电块的侧表面的介电层；配置邻近该介电层与该导电块的下方介电层，该下方介电层覆盖该导电块的下表面；从该第一导电片形成第一图案化导电层，该第一图案化导电层具有邻近该下方介电层的下表面以及上表面；形成从该第一图案化导电层的该上表面垂直延伸的导通孔；于形成该导通孔之后，移除该导电块以形成延伸穿过该介电层且暴露出部分该下方介电层的第一开口；以及配置该半导体元件的至少一部分于该第一开口内且邻近部分该下方介电层。