带有源结构和无源结构的光子电路的制造工艺

摘要

一种光子电路(400)制造工艺，包括：在第一晶片(101)上制造包含下包覆氧化层(102)和高折射率波导层(103)的第一层堆栈；确定所述高折射率波导层(103')的模型，以生成无源光子结构；平整所述第一层堆栈，所述第一层堆栈上厚度小于300纳米的平整氧化层(104)位于所述高折射率波导层(103)的上方；平整氧化层之前和/或之后，给所述模型化的高折射率波导层(103')退火；在第二晶片(201)上制造包含可分离的单晶硅波导层(203)的第二层堆栈；转移并键合所述第一层堆栈和所述第二层堆栈；在所述单晶硅波导层(203')内制造有源光子器件；及实现所述单晶硅波导层(203')和所述高折射率波导层(103")之间的渐逝波耦合。

主权项

一种光子电路(400)制造工艺，其特征在于，包括：在第一晶片(101)上制造第一层堆栈，所述第一层堆栈包括下包覆氧化层(102)和高折射率波导层(103)，即折射率大于1.8的波导层(103)；确定所述高折射率波导层(103)的模型，以生成含有无源光子结构的模型化高折射率波导层(103')；平整所述第一晶片上的所述第一层堆栈，所述第一晶片上厚度小于300纳米的平整氧化层(104)在所述高折射率波导层(103)的上方；平整氧化层之前和/或之后，给所述模型化的高折射率波导层(103')退火，以生成退火的模型化高折射率波导层(103")和平整氧化层(104)；在第二晶片(201)上制造第二层堆栈，所述第二层堆栈包含可分离的单晶硅波导层(203)；将包含第二层堆栈(202，203)的所述第二晶片(201)转移到包含第一层堆栈(102，103"，104)的所述第一晶片(101)上，并键合所述第一层堆栈和所述第二层堆栈；移除所述第二晶片的底层(201)；在所述单晶硅波导层(203)内制造有源光子器件以生成带有有源光子器件(203')的单晶硅波导层；及实现所述带有有源光子器件(203')的所述单晶硅波导层和所述退火的模型高折射率波导层(103")之间的渐逝波耦合。