半导体装置

摘要

在半导体装置中，在ESD保护用的N型MOS晶体管的衬底电位固定用P型扩散区与ESD保护用的N型MOS晶体管的源极及漏极区之间设置的沟槽分离区的深度，设定为比在内部元件的N型MOS晶体管的衬底电位固定用P型扩散区与内部元件的N型MOS晶体管的源极及漏极区之间设置的所述沟槽分离区的深度深。

主权项

　一种半导体装置，具有沟槽分离区，在内部电路区至少具有内部元件即N型MOS晶体管，在外部连接端子与所述内部电路区之间，具有保护所述内部元件即N型MOS晶体管或其它的内部元件免受ESD造成的破坏的ESD保护用的N型MOS晶体管，其中，在所述ESD保护用的N型MOS晶体管的衬底电位固定用P型扩散区与所述ESD保护用的N型MOS晶体管的源极及漏极区之间设置的所述沟槽分离区的深度，设定为比在所述内部元件即N型MOS晶体管的衬底电位固定用P型扩散区与所述内部元件的N型MOS晶体管的源极及漏极区之间设置的所述沟槽分离区的深度深。