| 发明名称 | 一种超痕量Hg(Ⅱ)去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超痕量Hg(Ⅱ)去除方法，其特征在于：将一种羟基修饰的MOF材料浸泡在含有超痕量Hg(Ⅱ)的废水中。本发明中的羟基修饰的MOF材料对汞离子有较高的吸附容量和高选择性，以快速、高效地去除水溶液中的痕量Hg(Ⅱ)离子，吸附效果远高于其他吸附材料，最大吸附容量为278mg/g，对初始浓度为100ppb的汞离子溶液一次处理后去除率高达87.5%，残留汞离子浓度低于12.5μg/L，远低于国家废水排放标准（50μg/L)。 | ||
| 申请公布号 | CN104310522A | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201410594955.4 | 申请日期 | 2014.10.30 |
| 申请人 | 东华理工大学 | 发明人 | 罗峰;罗明标;陈景丽;李建强;刘淑娟 |
| 分类号 | C02F1/28(2006.01)I;C02F1/62(2006.01)I;B01J20/22(2006.01)I;B01J20/30(2006.01)I | 主分类号 | C02F1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人 | 刘凌峰 |
| 主权项 | 一种超痕量Hg(Ⅱ)去除方法，其特征在于：将一种羟基修饰的MOF材料浸泡在含有超痕量Hg(Ⅱ)的水中。 | ||
| 地址 | 344000 江西省抚州市学府路56号 | ||