发明名称 |
晶片及其形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶片和及其形成方法。形成晶片的方法能够通过在包括多个芯片的晶片上执行深反应离子刻蚀(DRIE)工艺而将各个芯片彼此分离。所述晶片包括:多个芯片,被配置为在晶片上沿行方向和列方向来布置;划片线,被配置为形成在多个芯片之间,以便使每个芯片分离;和对准标记线,被配置为形成在晶片的一个侧面中,以便形成对准标记图案。 |
申请公布号 |
CN102082145B |
申请公布日期 |
2015.01.28 |
申请号 |
CN201010270505.1 |
申请日期 |
2010.09.02 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
姜熙福;金永郁 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;黄启行 |
主权项 |
一种形成晶片的方法,所述晶片包括芯片区、用于使所述芯片区隔离的划片线、以及形成有对准标记图案的对准标记线,所述方法包括以下步骤:在半导体衬底的所述对准标记线上形成所述对准标记图案;在位于所述半导体衬底的上部的所述芯片区上形成电路区;在所述电路区上形成钝化层;通过在所述半导体衬底的背面执行背面研磨工艺而使所述对准标记图案暴露;利用光致抗蚀剂图案作为刻蚀掩模而在形成于所述划片线中的半导体衬底上形成第一沟槽;以及在包括所述第一沟槽的所述半导体衬底上执行晶片安装工艺。 |
地址 |
韩国京畿道 |